[미국] 테트라멤(TetraMem), ‘MLX300’의 테이프아웃(Tapeout)을 성공적으로 마쳐
업계 최고 수준의 전자설계자동화(EDA) 솔루션을 활용해 개발
▲ 테트라멤(TetraMem) 로고 [출처=테트라멤(TetraMem)] |
미국 테트라멤(TetraMem)에 따르면 2026년 10월28일 다중 레벨 RRAM 기술 기반의 세계 최초 12나노(nm) A-IMC 시스템온칩(SoC, System-on-Chip)인 ‘MLX300’의 테이프아웃(Tapeout)을 성공적으로 마쳤다.
이 SoC는 시놉시스 클라우드 플렉스EDA(Synopsys Cloud FlexEDA)를 통해 제공되는 업계 최고 수준의 전자설계자동화(EDA) 솔루션을 활용해 개발됐다.
이번 성과는 해당 아키텍처를 첨단 공정 노드 기반의 양산 컴퓨팅 단계로 도약시키는 중대한 이정표로 평가받는다.
MLX300 테이프아웃은 테트라멤이 앞서 발표한 상용 22나노(nm) 공정 기반의 ‘MLX200/MLX200M’ 다중 레벨 RRAM A-IMC SoC에 이은 성과다. 2026년에만 2건의 풀마스크(Full-mask) 테이프아웃을 연이어 달성했다.
2개 칩 설계 모두 시놉시스 클라우드 플렉스EDA 환경의 시놉시스 EDA 툴을 전면 도입해, 미국과 싱가포르에 나뉜 테트라멤 엔지니어링 팀 간의 고효율 분산 개발 환경을 구축하고 설계 생산성과 반복 검증 주기를 크게 가속화했다.
일례로 테트라멤은 전체 설계 환경 셋업(Bring-up) 시간을 수 주에서 단 몇 분으로 줄였으며, 기존 온프레미스 환경 대비 레지스터 전송 레벨(RTL, Register Transfer Level) 검증 시뮬레이션 속도를 3배 끌어올렸다.
테트라멤의 독자적 아키텍처는 와트당 성능(Performance-per-Watt)을 획기적으로 개선하고 데이터 병목 현상을 해소하는 차세대 확장형 AI 가속기 개발을 가능하게 한다.
MLX300은 이러한 설계를 바탕으로 오디오, 비전, 소형언어모델을 두루 지원하는 다목적 단일 칩 가속기로 개발됐으며, 모델 가중치(Weight) 저장을 위한 별도의 외장 D램(DRAM) 없이도 단일 칩 내부에서 최대 6400만 개의 4비트 정수(INT4) 파라미터를 직접 구동한다.
아울러 SoC는 50~80TOPS/W 수준의 뛰어난 에너지 효율을 목표로 설계되어 차세대 AI 추론 시장에서 RRAM 기반 아날로그 연산 기술이 지닌 강력한 경쟁력을 입증하고 있다.
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